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EPC2010CENGR
EPC2010CENGR
제품 모델:
EPC2010CENGR
제조사:
EPC
기술:
TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
74402 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
EPC2010CENGR.pdf
문의

소개

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규격

내부 부품 번호 RO-EPC2010CENGR
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전압 - 테스트:380pF @ 100V
전압 - 파괴:Die Outline (7-Solder Bar)
아이디 @ VGS (일) (최대):25 mOhm @ 12A, 5V
과학 기술:GaNFET (Gallium Nitride)
연속:eGaN®
RoHS 상태:Tape & Reel (TR)
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):22A (Ta)
편광:Die
다른 이름들:917-EPC2010CENGRTR
작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:EPC2010CENGR
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:3.7nC @ 5V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:2.5V @ 3mA
FET 특징:N-Channel
확장 설명:N-Channel 200V 22A (Ta) Surface Mount Die Outline (7-Solder Bar)
소스 전압에 드레인 (Vdss):-
기술:TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):200V
용량 비율:-
Email:[email protected]

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