DTA114EUAT106
DTA114EUAT106
제품 모델:
DTA114EUAT106
제조사:
LAPIS Semiconductor
기술:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
87752 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
1.DTA114EUAT106.pdf2.DTA114EUAT106.pdf

소개

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규격

내부 부품 번호 RO-DTA114EUAT106
조건 Original New
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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):300mV @ 500µA, 10mA
트랜지스터 유형:PNP - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지:UMT3
연속:-
저항기 - 이미 터베이스 (R2):10 kOhms
저항기 -베이스 (R1):10 kOhms
전력 - 최대:200mW
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:SC-70, SOT-323
다른 이름들:DTA114EUAT106TR
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환:250MHz
상세 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:30 @ 5mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):50mA
기본 부품 번호:DTA114
Email:[email protected]

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