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DRDNB26W-7
DRDNB26W-7
제품 모델:
DRDNB26W-7
제조사:
Diodes Incorporated
기술:
TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
54461 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
DRDNB26W-7.pdf
문의

소개

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내부 부품 번호 RO-DRDNB26W-7
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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):300mV @ 2.5mA, 50mA
트랜지스터 유형:NPN - Pre-Biased + Diode
제조업체 장치 패키지:SOT-363
연속:-
저항기 - 이미 터베이스 (R2):4.7 kOhms
저항기 -베이스 (R1):220 Ohms
전력 - 최대:200mW
포장:Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
다른 이름들:DRDNB26WDICT
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환:200MHz
상세 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:47 @ 50mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):600mA
기본 부품 번호:DRDNB26
Email:[email protected]

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