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DMG8601UFG-7
DMG8601UFG-7
제품 모델:
DMG8601UFG-7
제조사:
Diodes Incorporated
기술:
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
36293 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
DMG8601UFG-7.pdf
문의

소개

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내부 부품 번호 RO-DMG8601UFG-7
조건 Original New
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아이디 @ VGS (일) (최대):1.05V @ 250µA
제조업체 장치 패키지:U-DFN3030-8
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
전력 - 최대:920mW
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:8-PowerUDFN
다른 이름들:DMG8601UFG-7DITR
DMG8601UFG7
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:20 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:143pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:8.8nC @ 4.5V
FET 유형:2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 특징:Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss):20V
상세 설명:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6.1A 920mW Surface Mount U-DFN3030-8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):6.1A
기본 부품 번호:DMG8601UFG
Email:[email protected]

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