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집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-양극 (bjt)-배열, 프리 바이어스 > DCX100NS-7
DCX100NS-7
DCX100NS-7
제품 모델:
DCX100NS-7
제조사:
Diodes Incorporated
기술:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
61803 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
DCX100NS-7.pdf
문의

소개

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내부 부품 번호 RO-DCX100NS-7
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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):300mV @ 500µA, 10mA
트랜지스터 유형:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지:SOT-563
연속:-
저항기 - 이미 터베이스 (R2):10 kOhms
저항기 -베이스 (R1):10 kOhms, 1 kOhms
전력 - 최대:150mW
포장:Original-Reel®
패키지 / 케이스:SOT-563, SOT-666
다른 이름들:DCX100NSDIDKR
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환:250MHz
상세 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 50mA, 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:30 @ 5mA, 5V / 33 @ 5mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):50mA, 100mA
기본 부품 번호:DCX100
Email:[email protected]

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