AS4C64M8D1-5BINTR
- 제품 모델:
- AS4C64M8D1-5BINTR
- 기술:
- IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
- 수량 재고 있음:
- 39257 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- AS4C64M8D1-5BINTR.pdf
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-AS4C64M8D1-5BINTR |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지: | 15ns |
| 전압 - 공급: | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 과학 기술: | SDRAM - DDR |
| 제조업체 장치 패키지: | 60-FBGA (8x13) |
| 연속: | - |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | 60-TFBGA |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 크기: | 512Mb (64M x 8) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 메모리 형식: | DRAM |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 8 Weeks |
| 상세 설명: | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (8x13) |
| 클럭 주파수: | 200MHz |
| 액세스 시간: | 700ps |
| Email: | [email protected] |
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