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APT65GP60L2DQ2G
APT65GP60L2DQ2G
제품 모델:
APT65GP60L2DQ2G
제조사:
Microsemi
기술:
IGBT 600V 198A 833W TO264
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
82217 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
APT65GP60L2DQ2G.pdf
문의

소개

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내부 부품 번호 RO-APT65GP60L2DQ2G
조건 Original New
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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):2.7V @ 15V, 65A
시험 조건:400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C:30ns/90ns
에너지 전환:605µJ (on), 895µJ (off)
연속:POWER MOS 7®
전력 - 최대:833W
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-264-3, TO-264AA
다른 이름들:APT65GP60L2DQ2GMI
APT65GP60L2DQ2GMI-ND
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 유형:Standard
IGBT 유형:PT
게이트 충전:210nC
상세 설명:IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM):250A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):198A
Email:[email protected]

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