2SA1955FVATPL3Z
2SA1955FVATPL3Z
제품 모델:
2SA1955FVATPL3Z
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
46837 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
2SA1955FVATPL3Z.pdf

소개

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규격

내부 부품 번호 RO-2SA1955FVATPL3Z
조건 Original New
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바꿔 놓음 See datasheet
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):12V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):250mV @ 10mA, 200mA
트랜지스터 유형:PNP
제조업체 장치 패키지:CST3
연속:-
전력 - 최대:100mW
포장:Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스:SC-101, SOT-883
다른 이름들:2SA1955FVATPL3ZCT
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환:130MHz
상세 설명:Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 400mA 130MHz 100mW Surface Mount CST3
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:300 @ 10mA, 2V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):400mA
Email:[email protected]

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