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2N7636-GA
제품 모델:
2N7636-GA
제조사:
GeneSiC Semiconductor
기술:
TRANS SJT 650V 4A TO276
RoHS 현황:
납 함유 / RoHS 비 준수
수량 재고 있음:
39231 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
2N7636-GA.pdf
문의

소개

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내부 부품 번호 RO-2N7636-GA
조건 Original New
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아이디 @ VGS (일) (최대):-
Vgs (최대):-
과학 기술:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
제조업체 장치 패키지:TO-276
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):415 mOhm @ 4A
전력 소비 (최대):125W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-276AA
다른 이름들:1242-1147
작동 온도:-55°C ~ 225°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Contains lead / RoHS non-compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:324pF @ 35V
FET 유형:-
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):-
소스 전압에 드레인 (Vdss):650V
상세 설명:650V 4A (Tc) (165°C) 125W (Tc) Surface Mount TO-276
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):4A (Tc) (165°C)
Email:[email protected]

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