内部モデル | RO-W988D2FBJX6E TR |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 15ns |
電源電圧 - : | 1.7 V ~ 1.95 V |
技術: | SDRAM - Mobile LPSDR |
サプライヤデバイスパッケージ: | 90-VFBGA (8x13) |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 90-TFBGA |
他の名前: | W988D2FBJX6E TR-ND W988D2FBJX6ETR |
運転温度: | -25°C ~ 85°C (TC) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Volatile |
記憶容量: | 256Mb (8M x 32) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | DRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13) |
クロック周波数: | 166MHz |
アクセス時間: | 5.4ns |
Email: | [email protected] |