内部モデル | RO-W29N04GWBIBA |
---|---|
状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 35ns |
電源電圧 - : | 1.7 V ~ 1.95 V |
技術: | FLASH - NAND (SLC) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 63-VFBGA (9x11) |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Tray |
パッケージ/ケース: | 63-VFBGA |
運転温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Non-Volatile |
記憶容量: | 4Gb (512M x 8) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | FLASH |
メーカーの標準リードタイム: | 14 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 35ns 63-VFBGA (9x11) |
アクセス時間: | 35ns |
Email: | [email protected] |