内部モデル | RO-TSM120N10PQ56 RLG |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-PDFN (5x6) |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 12 mOhm @ 30A, 10V |
電力消費(最大): | 36W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-PowerTDFN |
他の名前: | TSM120N10PQ56 RLGTR TSM120N10PQ56 RLGTR-ND TSM120N10PQ56RLGTR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 3902pF @ 30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 145nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
詳細な説明: | N-Channel 100V 58A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 58A (Tc) |
Email: | [email protected] |