内部モデル | RO-TPH3206LDGB |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.6V @ 500µA |
Vgs(最大): | ±18V |
技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PQFN (8x8) |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 180 mOhm @ 11A, 8V |
電力消費(最大): | 81W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | 3-PowerDFN |
他の名前: | TPH3206LDG TPH3206LDG-ND |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 760pF @ 480V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 9.3nC @ 4.5V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 8V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 650V |
詳細な説明: | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 16A (Tc) |
Email: | [email protected] |