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TPH2900ENH,L1Q
TPH2900ENH,L1Q
部品型番:
TPH2900ENH,L1Q
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
44171 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
TPH2900ENH,L1Q.pdf
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規格

内部モデル RO-TPH2900ENH,L1Q
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS（TH）（最大）:4V @ 1mA
Vgs（最大）:±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-SOP Advance (5x5)
シリーズ:U-MOSVIII-H
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:29 mOhm @ 16.5A, 10V
電力消費（最大）:78W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
他の名前:TPH2900ENH,L1Q(M
TPH2900ENHL1QTR
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:2200pF @ 100V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:22nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:200V
詳細な説明:N-Channel 200V 33A (Ta) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:33A (Ta)
Email:[email protected]

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