TPCC8002-H(TE12L,Q
TPCC8002-H(TE12L,Q
部品型番:
TPCC8002-H(TE12L,Q
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
58231 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
1.TPCC8002-H(TE12L,Q.pdf2.TPCC8002-H(TE12L,Q.pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-TPCC8002-H(TE12L,Q
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
電圧 - テスト:2500pF @ 10V
電圧 - ブレークダウン:8-TSON
同上@ VGS(TH)(最大):8.3 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(最大):4.5V, 10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ:U-MOSV-H
RoHSステータス:Tape & Reel (TR)
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):22A (Ta)
偏光:8-VDFN Exposed Pad
他の名前:TPCC8002HTE12LQ
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:TPCC8002-H(TE12L,Q
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:27nC @ 10V
IGBTタイプ:±20V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:2.5V @ 1mA
FET特長:N-Channel
拡張された説明:N-Channel 30V 22A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON
ソース電圧(VDSS)にドレイン:-
説明:MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):30V
静電容量比:700mW (Ta), 30W (Tc)
Email:[email protected]

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