TL5580AID
- 部品型番:
- TL5580AID
- メーカー:
- TI
- 説明:
- IC OPAMP GP 12MHZ 8SOIC
- RoHSステータス:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 42368 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 生産時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- TL5580AID.pdf
簡潔な
We can supply TL5580AID, use the request quote form to request TL5580AID pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TL5580AID.The price and lead time for TL5580AID depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TL5580AID.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
規格
| 内部モデル | RO-TL5580AID |
|---|---|
| 状況 | Original New |
| 原産国 | Contact us |
| トップマーク | email us |
| 代替案 | See datasheet |
| 電圧 - 電源、シングル/デュアル（±）: | 4 V ~ 32 V, ±2 V ~ 16 V |
| 電圧 - 入力オフセット: | 300µV |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SOIC |
| スルーレート: | 5 V/µs |
| シリーズ: | - |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 出力タイプ: | - |
| 他の名前: | TL5580AIDE4 TL5580AIDE4-ND TL5580AIDG4 TL5580AIDG4-ND |
| 運転温度: | -40°C ~ 85°C |
| 回路の数: | 2 |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 28 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| ゲイン帯域幅積: | 12MHz |
| 詳細な説明: | General Purpose Amplifier 2 Circuit 8-SOIC |
| 電流 - 供給: | 6mA |
| 電流 - 出力/チャンネル: | 50mA |
| 電流 - 入力バイアス: | 100nA |
| ベース部品番号: | TL5580A |
| アンプタイプ: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのTL5580AID
最新ニュース
- TIの新しい高精度バッテリーモニターとバランサーは、有線および無線のバッテリー管理システムのパフォーマンスを向上させることができます
- TIは、電気自動車のバッテリー管理に革命をもたらす業界をリードするワイヤレスBMSソリューションを発表しました
- TIは、新しいシングルペアイーサネットPHYを導入して、工場および建物の自動化アプリケーションの範囲を拡大します。
- 統合されたフェライトビーズ補償を備えたTI初の低ノイズ降圧コンバータは、高精度の設計を簡素化します
- Texas Instruments（TI）が2020年第3四半期の決算と株主還元を発表
- TIは、統合ドライバー、内部保護、および有効電力管理を備えた最初の自動車用GaNFETを発表しました