内部モデル | RO-TK560A60Y,S4X |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 240µA |
Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220SIS |
シリーズ: | DTMOSV |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 560 mOhm @ 3.5A, 10V |
電力消費(最大): | 30W |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-220-3 Full Pack |
他の名前: | TK560A60Y,S4X(S TK560A60YS4X TK560A60YS4X(S |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 380pF @ 300V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 14.5nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 600V |
詳細な説明: | N-Channel 600V 7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 7A (Tc) |
Email: | [email protected] |