TK10V60W,LVQ
TK10V60W,LVQ
部品型番:
TK10V60W,LVQ
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
39246 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
TK10V60W,LVQ.pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-TK10V60W,LVQ
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS(TH)(最大):3.7V @ 500µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:4-DFN-EP (8x8)
シリーズ:DTMOSIV
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):380 mOhm @ 4.9A, 10V
電力消費(最大):88.3W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:4-VSFN Exposed Pad
他の名前:TK10V60W,LVQ(S
TK10V60WLVQTR
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:700pF @ 300V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:20nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:Super Junction
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:600V
詳細な説明:N-Channel 600V 9.7A (Ta) 88.3W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):9.7A (Ta)
Email:[email protected]

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