SI8806DB-T2-E1
- 部品型番:
- SI8806DB-T2-E1
- 説明:
- MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
- RoHSステータス:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 53126 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 生産時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- SI8806DB-T2-E1.pdf
簡潔な
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規格
| 内部モデル | RO-SI8806DB-T2-E1 |
|---|---|
| 状況 | Original New |
| 原産国 | Contact us |
| トップマーク | email us |
| 代替案 | See datasheet |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | ±8V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 4-Microfoot |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 43 mOhm @ 1A, 4.5V |
| 電力消費（最大）: | 500mW (Ta) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 4-XFBGA |
| 他の名前: | SI8806DB-T2-E1TR |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 17nC @ 8V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 1.8V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 12V |
| 詳細な説明: | N-Channel 12V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | - |
| Email: | [email protected] |
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