内部モデル | RO-SI6423DQ-T1-GE3 |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - テスト: | - |
電圧 - ブレークダウン: | 8-TSSOP |
同上@ VGS(TH)(最大): | 8.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V |
Vgs(最大): | 1.8V, 4.5V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | TrenchFET® |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 8.2A (Ta) |
偏光: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
他の名前: | SI6423DQ-T1-GE3TR SI6423DQT1GE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 15 Weeks |
製造元の部品番号: | SI6423DQ-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 110nC @ 5V |
IGBTタイプ: | ±8V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 800mV @ 400µA |
FET特長: | P-Channel |
拡張された説明: | P-Channel 12V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 12V |
静電容量比: | 1.05W (Ta) |
Email: | [email protected] |