内部モデル | RO-SI5903DC-T1-E3 |
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状況 | Original New |
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トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 600mV @ 250µA (Min) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 1206-8 ChipFET™ |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V |
電力 - 最大: | 1.1W |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-SMD, Flat Lead |
他の名前: | SI5903DC-T1-E3TR SI5903DCT1E3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
FETタイプ: | 2 P-Channel (Dual) |
FET特長: | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
詳細な説明: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 2.1A |
ベース部品番号: | SI5903 |
Email: | [email protected] |