RP1E090XNTCR
- 部品型番:
- RP1E090XNTCR
- メーカー:
- LAPIS Semiconductor
- 説明:
- MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
- RoHSステータス:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 66388 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 生産時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- RP1E090XNTCR.pdf
簡潔な
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規格
| 内部モデル | RO-RP1E090XNTCR |
|---|---|
| 状況 | Original New |
| 原産国 | Contact us |
| トップマーク | email us |
| 代替案 | See datasheet |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2.5V @ 1mA |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | MPT6 |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 17 mOhm @ 9A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 2W (Ta) |
| パッケージング: | Cut Tape (CT) |
| パッケージ/ケース: | 6-SMD, Flat Leads |
| 他の名前: | RP1E090XNTCRCT |
| 運転温度: | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 440pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 6.8nC @ 5V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 4V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 30V |
| 詳細な説明: | N-Channel 30V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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