RN2906FE(TE85L,F)
RN2906FE(TE85L,F)
部品型番:
RN2906FE(TE85L,F)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
57730 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
RN2906FE(TE85L,F).pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-RN2906FE(TE85L,F)
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:ES6
シリーズ:-
抵抗器ベース(R2):47 kOhms
抵抗器 - ベース(R1):4.7 kOhms
電力 - 最大:100mW
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
他の名前:RN2906FE(TE85LF)CT
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション:200MHz
詳細な説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):80 @ 10mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大):100nA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max):100mA
Email:[email protected]

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