RN2110ACT(TPL3)
RN2110ACT(TPL3)
部品型番:
RN2110ACT(TPL3)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
50962 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
RN2110ACT(TPL3).pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-RN2110ACT(TPL3)
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):150mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式:PNP - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ:CST3
シリーズ:-
抵抗器 - ベース(R1):4.7 kOhms
電力 - 最大:100mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SC-101, SOT-883
他の名前:RN2110ACT(TPL3)TR
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):120 @ 1mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大):100nA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max):80mA
Email:[email protected]

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