内部モデル | RO-RN2109ACT(TPL3) |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 150mV @ 250µA, 5mA |
トランジスタ型式: | PNP - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ: | CST3 |
シリーズ: | - |
抵抗器ベース(R2): | 22 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1): | 47 kOhms |
電力 - 最大: | 100mW |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | SC-101, SOT-883 |
他の名前: | RN2109ACT(TPL3)CT |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 70 @ 10mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 80mA |
Email: | [email protected] |