RF081L2STE25
RF081L2STE25
部品型番:
RF081L2STE25
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
88868 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
RF081L2STE25.pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-RF081L2STE25
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@:980mV @ 1.1A
電圧 - 逆(VR)(最大):200V
サプライヤデバイスパッケージ:PMDS
速度:Fast Recovery = 200mA (Io)
シリーズ:-
逆回復時間(trrの):25ns
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:DO-214AC, SMA
他の名前:RF081L2STE25TR
動作温度 - ジャンクション:150°C (Max)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
ダイオードタイプ:Standard
詳細な説明:Diode Standard 200V 1A Surface Mount PMDS
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:10µA @ 200V
電流 - 平均整流(イオ​​):1A
Vrと、F @キャパシタンス:-
ベース部品番号:RF081L2S
Email:[email protected]

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