内部モデル | RO-MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D TR |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
電源電圧 - : | 2.7 V ~ 3.6 V |
技術: | FLASH - NAND |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
他の名前: | MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D TR-ND MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:DTR |
運転温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
メモリタイプ: | Non-Volatile |
記憶容量: | 128Gb (16G x 8) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | FLASH |
鉛フリーステータス: | Lead free |
詳細な説明: | FLASH - NAND Memory IC 128Gb (16G x 8) Parallel 267MHz |
クロック周波数: | 267MHz |
Email: | [email protected] |