内部モデル | RO-MR20H40DFR |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
電源電圧 - : | 3 V ~ 3.6 V |
技術: | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-VDFN Exposed Pad |
運転温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メモリタイプ: | Non-Volatile |
記憶容量: | 4Mb (512K x 8) |
メモリインタフェース: | SPI |
メモリ形式: | RAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) SPI 50MHz 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
クロック周波数: | 50MHz |
Email: | [email protected] |