内部モデル | RO-DTD743EMT2L |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 30V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
トランジスタ型式: | NPN - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ: | VMT3 |
シリーズ: | - |
抵抗器ベース(R2): | 4.7 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1): | 4.7 kOhms |
電力 - 最大: | 150mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SOT-723 |
他の名前: | DTD743EMT2L-ND DTD743EMT2LTR |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 260MHz |
詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 115 @ 100mA, 2V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 200mA |
ベース部品番号: | DTD743 |
Email: | [email protected] |