内部モデル | RO-DS28E15Q+T |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
電源電圧 - : | 2.97 V ~ 3.63 V |
技術: | EEPROM |
サプライヤデバイスパッケージ: | 6-TDFN (3x3) |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 6-WDFN Exposed Pad |
他の名前: | DS28E15Q+T-ND DS28E15Q+TTR |
運転温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メモリタイプ: | Non-Volatile |
記憶容量: | 512b (512 x 1) |
メモリインタフェース: | 1-Wire® |
メモリ形式: | EEPROM |
メーカーの標準リードタイム: | 6 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | EEPROM Memory IC 512b (512 x 1) 1-Wire® 2µs 6-TDFN (3x3) |
アクセス時間: | 2µs |
Email: | [email protected] |