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DMN10H170SFDE-7
DMN10H170SFDE-7
部品型番:
DMN10H170SFDE-7
メーカー:
Diodes Incorporated
説明:
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
86503 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
DMN10H170SFDE-7.pdf
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規格

内部モデル RO-DMN10H170SFDE-7
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
電圧 - テスト:1167pF @ 25V
電圧 - ブレークダウン:U-DFN2020-6 (Type E)
同上@ VGS（TH）（最大）:160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（最大）:4.5V, 10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ:-
RoHSステータス:Tape & Reel (TR)
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:2.9A (Ta)
偏光:6-UDFN Exposed Pad
他の名前:DMN10H170SFDE-7DITR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
製造元の部品番号:DMN10H170SFDE-7
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:9.7nC @ 10V
IGBTタイプ:±20V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:3V @ 250µA
FET特長:N-Channel
拡張された説明:N-Channel 100V 2.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:-
説明:MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:100V
静電容量比:660mW (Ta)
Email:[email protected]

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