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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > CSD16411Q3
CSD16411Q3
部品型番:
CSD16411Q3
メーカー:
TI
説明:
MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
RoHSステータス:
リード線付き/ RoHS準拠
在庫数量:
71385 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
CSD16411Q3.pdf
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規格

内部モデル RO-CSD16411Q3
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
電圧 - テスト:570pF @ 12.5V
電圧 - ブレークダウン:8-VSON (3.3x3.3)
同上@ VGS（TH）（最大）:10 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（最大）:4.5V, 10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ:NexFET™
RoHSステータス:Tape & Reel (TR)
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:14A (Ta), 56A (Tc)
偏光:8-PowerVDFN
他の名前:296-24255-2
CSD16411Q3/2801
CSD16411Q3/2801-ND
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:CSD16411Q3
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:3.8nC @ 4.5V
IGBTタイプ:+16V, -12V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:2.3V @ 250µA
FET特長:N-Channel
拡張された説明:N-Channel 25V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:-
説明:MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:25V
静電容量比:2.7W (Ta)
Email:[email protected]

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