Numéro de pièce interne | RO-CSD16411Q3 |
---|---|
État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Tension - Test: | 570pF @ 12.5V |
Tension - Ventilation: | 8-VSON (3.3x3.3) |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 10 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Séries: | NexFET™ |
État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 14A (Ta), 56A (Tc) |
Polarisation: | 8-PowerVDFN |
Autres noms: | 296-24255-2 CSD16411Q3/2801 CSD16411Q3/2801-ND |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
Référence fabricant: | CSD16411Q3 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3.8nC @ 4.5V |
type de IGBT: | +16V, -12V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.3V @ 250µA |
Fonction FET: | N-Channel |
Description élargie: | N-Channel 25V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) |
Tension drain-source (Vdss): | - |
La description: | MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 25V |
Ratio de capacité: | 2.7W (Ta) |
Email: | [email protected] |