内部モデル | RO-AT25160AY1-10YI-2.7 |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 5ms |
電源電圧 - : | 2.7 V ~ 5.5 V |
技術: | EEPROM |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-MAP (3x4.9) |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | 8-VDFN Exposed Pad |
他の名前: | AT25160AY110YI2.7 |
運転温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メモリタイプ: | Non-Volatile |
記憶容量: | 16Kb (2K x 8) |
メモリインタフェース: | SPI |
メモリ形式: | EEPROM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
詳細な説明: | EEPROM Memory IC 16Kb (2K x 8) SPI 20MHz 8-MAP (3x4.9) |
クロック周波数: | 20MHz |
ベース部品番号: | AT25160 |
Email: | [email protected] |