内部モデル | RO-AS6C6264-55STCN |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
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代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 55ns |
電源電圧 - : | 2.7 V ~ 5.5 V |
技術: | SRAM - Asynchronous |
サプライヤデバイスパッケージ: | 28-sTSOP |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Tray |
パッケージ/ケース: | 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) |
他の名前: | 1450-1186-5 AS6C6264-55STCN-ND |
運転温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Volatile |
記憶容量: | 64Kb (8K x 8) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | SRAM |
メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 55ns 28-sTSOP |
アクセス時間: | 55ns |
Email: | [email protected] |