内部モデル | RO-AS4C512M8D3A-12BAN |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 15ns |
電源電圧 - : | 1.425 V ~ 1.575 V |
技術: | SDRAM - DDR3 |
サプライヤデバイスパッケージ: | 78-FBGA (10.5x9) |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q100 |
パッケージング: | Tray |
パッケージ/ケース: | 78-VFBGA |
他の名前: | 1450-1419 AS4C512M8D3A-12BAN-ND |
運転温度: | -40°C ~ 105°C (TC) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Volatile |
記憶容量: | 4Gb (512M x 8) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | DRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (10.5x9) |
クロック周波数: | 800MHz |
アクセス時間: | 20ns |
Email: | [email protected] |