APTC90H12T1G
部品型番:
APTC90H12T1G
メーカー:
Microsemi
説明:
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
79807 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
APTC90H12T1G.pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-APTC90H12T1G
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS(TH)(最大):3.5V @ 3mA
サプライヤデバイスパッケージ:SP1
シリーズ:CoolMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):120 mOhm @ 26A, 10V
電力 - 最大:250W
パッケージング:Tray
パッケージ/ケース:SP1
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:6800pF @ 100V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:270nC @ 10V
FETタイプ:4 N-Channel (H-Bridge)
FET特長:Super Junction
ソース電圧(VDSS)にドレイン:900V
詳細な説明:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):30A
Email:[email protected]

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