1N4007T-G
1N4007T-G
部品型番:
1N4007T-G
メーカー:
Comchip Technology
説明:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
49344 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
1N4007T-G.pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-1N4007T-G
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@:1.1V @ 1A
電圧 - 逆(VR)(最大):1000V
サプライヤデバイスパッケージ:DO-41
速度:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ:-
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:DO-204AL, DO-41, Axial
他の名前:641-1457-1
動作温度 - ジャンクション:-55°C ~ 150°C
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
ダイオードタイプ:Standard
詳細な説明:Diode Standard 1000V 1A Through Hole DO-41
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:5µA @ 1000V
電流 - 平均整流(イオ​​):1A
Vrと、F @キャパシタンス:15pF @ 4V, 1MHz
ベース部品番号:1N4007
Email:[email protected]

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