Nexperia, esperto di produzione ad alto rendimento nella produzione di infrastrutture semiconduttori, ha annunciato la prima serie MOSFET P-Canale di LFPAK56 (Power-SO8) incapsulata da resistenza ad alta resistenza, alti utilizzo dello spazio. Il nuovo dispositivo è conforme allo standard AEC-Q101, adatto per applicazioni automobilistiche, come prodotto alternativo ideale di DPAK MOSFET e riduce l'impronta del pacchetto in base alla prestazione garantita, il 50%. La nuova serie di prodotti può essere selezionata entro 30 V a 60 V di tensione di tensione operativa, e la RDS on-resistenze (ON) è inferiore a 10 MΩ (30 V).

Il pacchetto LFPAK utilizza una struttura a clip in rame e viene applicato per la prima volta da Nexperia, che è stato utilizzato in un severo campo applicativo di automobili. Si scopre che l'affidabilità del pacchetto è superiore ai requisiti standard AEC, che supera 2 volte l'indicatore del test di affidabilità chiave e la struttura del pacchetto univoco aumenta anche l'affidabilità a livello di scheda. Solo i dispositivi n-canali sono stati precedentemente utilizzati per il dispositivo N-Canale. Ora, a causa delle esigenze industriali, NEXPERIA estende anche la linea di prodotti LFPak56 e il dispositivo P PAN è incluso anche il dispositivo P.

Nexperia Product Manager Malte ha colpito la revisione: "Il nuovo MOSFET del canale P è polarizzato in polarità; come interruttori alti, per le regolazioni dei posti a sedere, i lucernari e il controllo della finestra, ecc., Si applicano anche alle stazioni di base 5G e ad altri scenari di applicazione industriale."