Nexperia, High-Ertragsproduktexperte in der Halbleiterinfrastrukturproduktion, kündigte die erste P-Kanal-MOSFET-Serie von LFPAK56 (Power-SO8) an, die durch hohe Walzbeständigkeit, hohe Raumnutzung eingekapselt ist. Das neue Gerät entspricht dem Standard-AEC-Q101-Standard, der für Automobilanwendungen geeignet ist, als ideales alternatives Produkt von DPAK-MOSFET und reduziert den Package-Fußabdruck auf der Grundlage der garantierten Leistung, 50%. Die neue Produktreihe kann innerhalb von 30 V bis 60 V Betriebsspannungsbereich ausgewählt werden, und der Widerstand RDS (ON) ist so niedrig wie 10 MΩ (30 V).

Das LFPAK-Paket verwendet eine Kupfer-Clip-Struktur, und es wird zunächst von Nexperia angewendet, der in einem strengen Anwendungsfeld von Automobilen verwendet wurde. Es stellt sich heraus, dass die Zuverlässigkeit des Pakets über den AEC-Standardanforderungen höher ist, was den 2-fachen der wichtigsten Zuverlässigkeitstest-Indikator überschreitet, und die einzigartige Paketstruktur erhöht auch die Zuverlässigkeit der Platine. Für das N-Kanal-Gerät wurden nur die N-Kanal-Geräte verwendet. Nun, aufgrund des industriellen Bedürfnisses erweitert Nexperia die Produktlinie LFPAK56, und das P-Kanalgerät ist ebenfalls enthalten.

Nexperia Product Manager MALTE Schlagprüfung: "Der neue P-Kanal-MOSFET ist auf Polarität polarisiert; als High-Side-Schalter, für Sitzeinstellungen, Oberlichter und Fenstersteuerung usw., gelten auch 5G-Basisstationen und ein anderes Industrieanwendungsszenario."