TSM130NB06CR RLG
- Modello di prodotti:
- TSM130NB06CR RLG
- fabbricante:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Descrizione:
- MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
- Quantità in magazzino:
- 73004 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- TSM130NB06CR RLG.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-TSM130NB06CR RLG |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-PDFN (5x6) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 13 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.1W (Ta), 83W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerLDFN |
| Altri nomi: | TSM130NB06CRRLGTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2380pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 60V 10A (Ta), 51A (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta), 51A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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