TRS6E65C,S1AQ
- Modello di prodotti:
- TRS6E65C,S1AQ
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 56351 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- TRS6E65C,S1AQ.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-TRS6E65C,S1AQ |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Tensione - Picco inversa (max): | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 6A (DC) |
| Tensione - Ripartizione: | TO-220-2L |
| Serie: | - |
| Stato RoHS: | Tube |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Resistenza a If, F: | 35pF @ 650V, 1MHz |
| Polarizzazione: | TO-220-2 |
| Altri nomi: | TRS6E65C,S1AQ(S TRS6E65C,S1Q TRS6E65C,S1Q(S TRS6E65CS1AQ TRS6E65CS1AQ(S TRS6E65CS1Q TRS6E65CS1Q-ND |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | 0ns |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TRS6E65C,S1AQ |
| Descrizione espansione: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole TO-220-2L |
| Configurazione diodo: | 90µA @ 650V |
| Descrizione: | DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 1.7V @ 6A |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo): | 650V |
| Capacità a Vr, F: | 175°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
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