TPCP8003-H(TE85L,F
- Modello di prodotti:
- TPCP8003-H(TE85L,F
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 62598 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.TPCP8003-H(TE85L,F.pdf2.TPCP8003-H(TE85L,F.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-TPCP8003-H(TE85L,F |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.3V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PS-8 (2.9x2.4) |
| Serie: | U-MOSIII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 180 mOhm @ 1.1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 840mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 360pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 100V 2.2A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount PS-8 (2.9x2.4) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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