TP65H050WS
- Modello di prodotti:
- TP65H050WS
- fabbricante:
- Transphorm
- Descrizione:
- 650 V 34 A CASCODE GAN FET
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 30751 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- TP65H050WS.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-TP65H050WS |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.8V @ 700µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 60 mOhm @ 22A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 119W (Tc) |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 15 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1000pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 24nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 650V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 34A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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