STW63N65DM2
- Modello di prodotti:
- STW63N65DM2
- fabbricante:
- STMicroelectronics
- Descrizione:
- MOSFET
- Quantità in magazzino:
- 89978 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- STW63N65DM2.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-STW63N65DM2 |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
| Vgs (Max): | - |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 |
| Serie: | FDmesh™ II Plus |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | - |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | - |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Produttore tempi di consegna standard: | 42 Weeks |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 145nC @ 100V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 650V 65A Through Hole TO-247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 65A |
| Email: | [email protected] |
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