STW63N65DM2
- Modèle de produit:
- STW63N65DM2
- Fabricant:
- STMicroelectronics
- La description:
- MOSFET
- la quantité en dépôt:
- 89978 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- STW63N65DM2.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-STW63N65DM2 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | - |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-247 |
| Séries: | FDmesh™ II Plus |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | - |
| Dissipation de puissance (max): | - |
| Package / Boîte: | TO-247-3 |
| Température de fonctionnement: | - |
| Type de montage: | Through Hole |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 42 Weeks |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 145nC @ 100V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | - |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| Description détaillée: | N-Channel 650V 65A Through Hole TO-247 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 65A |
| Email: | [email protected] |
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