STW63N65DM2
- Artikelnummer:
- STW63N65DM2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Beschreibung:
- MOSFET
- Menge auf Lager:
- 89978 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- STW63N65DM2.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-STW63N65DM2 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | - |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-247 |
| Serie: | FDmesh™ II Plus |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | - |
| Verlustleistung (max): | - |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 |
| Betriebstemperatur: | - |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 42 Weeks |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 145nC @ 100V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 650V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 650V 65A Through Hole TO-247 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 65A |
| Email: | [email protected] |
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