SIA416DJ-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SIA416DJ-T1-GE3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 60274 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- SIA416DJ-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-SIA416DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 83 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® SC-70-6 |
| Altri nomi: | SIA416DJ-T1-GE3TR SIA416DJT1GE3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 295pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 100V 11.3A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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