SI9910DY-T1-E3
- Modello di prodotti:
- SI9910DY-T1-E3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 33948 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.SI9910DY-T1-E3.pdf2.SI9910DY-T1-E3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-SI9910DY-T1-E3 |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Tensione di alimentazione -: | 10.8 V ~ 16.5 V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Tempo di salita / scadenza (Typ): | 50ns, 35ns |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | SI9910DY-T1-E3TR SI9910DYT1E3 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenza di ingresso: | 1 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tensione logica - VIL, VIH: | - |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Non-Inverting |
| Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap): | 500V |
| Tipo di porta: | N-Channel MOSFET |
| Configurazione guidata: | High-Side |
| Descrizione dettagliata: | High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore): | 1A, 1A |
| Base-Emitter Tensione di saturazione (max): | Single |
| Numero di parte base: | SI9910 |
| Email: | [email protected] |
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