S71KL512SC0BHB000
Modello di prodotti:
S71KL512SC0BHB000
fabbricante:
Cypress Semiconductor
Descrizione:
IC FLASH RAM 512MIT PARALLEL
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
31892 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
S71KL512SC0BHB000.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-S71KL512SC0BHB000
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia:FLASH, DRAM
Serie:Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ + HyperRAM™ KL
temperatura di esercizio:-40°C ~ 105°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Non-Volatile
Dimensione della memoria:512Mbit Flash, 64Mbit RAM
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:FLASH, RAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:FLASH, DRAM Memory IC 512Mbit Flash, 64Mbit RAM Parallel 100MHz
Frequenza dell'orologio:100MHz
Email:[email protected]

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